產品資訊 - VMB, Purifier, Valve, Fitting, MFC, Wafer Sensor, LED

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Wet Process Tools
 
 

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產品廠牌:PNC
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產品說明:

Ultron B300 Series

 設備特點

高生產能力,從Load到Unload的傳輸能力可達到600片/小時,傳送機構運行穩定,標準化獨立模塊,使設計、組裝、檢修更加方便,機台內裝有破片檢測系統,水槽視覺檢出系統可以檢出破碎Wafer,避免二次傷害。

 
   

主要技術參數

晶片尺寸

300mm

上下料方式

通過自動傳輸系統,將晶圓從水平狀態調整為直立,然後經機械手臂自動傳輸至各個槽體進行供液。乾燥後會自動通過特定機構調整晶圓狀態,回到晶圓盒內。

酸槽材質

半導體級用石英、PTFE、PVDF等。

酸槽自動清洗

可以通過設置程序,對槽體自動進行清洗

漏液防護功能

具有漏液防護裝置,並配有漏液偵測傳感器,可以即時觸發互鎖,關閉供液系統,防止發生危險

藥液過濾

選用半導體級別過濾器,過濾膜孔徑可以達到50nm,20nm等,或依客戶要求。

水槽噴淋

快排水槽配有花灑功能,有效進行化學品去除和顆粒去除。

水槽(FR)水阻計

溢流水槽可以配備水阻計,偵測水阻變化

藥液槽循環

可以通過機台設定藥液槽循環流量。

藥液槽搖擺功能

有搖擺功能。

藥液溫控

可以通過機台設定藥液溫度。

應用行業

主要應用於半導體晶圓製造,封裝過程中的化學清洗和蝕刻。

 

 

Ultron S300 Series

設備特點

占地面積小,8英吋占地8.94m2,12英吋占地10.94m2,模塊化設計,易於維護和設置,極好的穩定性和可靠性,擁有高速傳輸系統和良好的腔體匹配,供液時wafer表面溫度監控,藥液回收設計,可回收硫酸。

主要技術參數

 

晶片尺寸

300mm

上下料方式

機械手wafer正面向上傳送(EFEM Robot & Process Robot),chamber內部翻轉載入(背面清洗供液選配),機械精度max 0.1mm

Chuck

正面清洗供液型

背面清洗供液型

最高轉速

3000rpm

最高轉速

3000rpm

夾持方式

邊緣機械夾持& 頂針

夾持方式

邊緣機械夾持& N2保護

水平度≦5/100,導電(≦10^6Ω),耐高溫高濃度的強酸鹼級有機物腐蝕

機械手夾持方式

根據需求可選Edge grip、Pocket hold、Vacuum absorb三種方式

環境

潔淨度class1

排風自動調節& dumper定時清洗

22s腔體換氣高達95%

Chamber

移動噴嘴

二流體噴嘴(DIW/SC1),二元在線混噴嘴(SPM),普通噴嘴

背面噴嘴

DIW & N2 & 4種Chemical (有1種可以高溫)

BOWL結構

PTFE材質,4層,其中2層可回收化學品

定時自動清洗

BOWL DIW rinse、chuck DIW rinse

安全設計

Chuck主軸N2保護,排風防疫體倒灌,消防保護

化學品供應

過濾

廢液回收過濾,主供應過濾

溫度控制

RT~30:< ±0.5°C
30~60:< ±1°C
60~180:< ±3°C

流量控制

800~1800mL/min
Response Time < 2.0sec;Precision ±2% RD

濃度控制

二元混合< ±0.10%
多元混合< ±0.50%

 應用行業

主要應用於晶圓製造,芯片製造。

 

 

Ultron B200 Series

設備特點

機台將背面傳輸機構集成在機台的後上方,節省空間,標配maragoni乾燥,優化乾燥程序,提高機台產出率,優化槽體流廠設計,使清洗效果和均一性得到提高。

主要技術參數

晶片尺寸

200mm

上下料方式

通過自動傳輸系統,將晶圓從水平狀態調整為直立,然後經機械手臂自動傳輸至各個槽體進行供液。乾燥後會自動通過特定機構調整晶圓狀態,回到晶圓盒內。

酸槽材質

半導體級用石英,PTFE、PVDF等。

酸槽自動清洗

可以通過設置程序,對槽體自動進行清洗。

漏液防護功能

具有漏夜防護裝置並配有漏夜偵測傳感器,可以即時觸發互鎖,關閉供液系統,防止次生危險。

藥液過濾

選用半導體級別過濾器,過濾膜孔徑可以達到100mn、50mn等,或按客戶需求。

水槽噴淋

快排水槽配有花灑功能,有效進行化學品去除和顆粒去除。

水槽(FR)水阻計

溢流水槽可以配備水阻值計,偵測水阻變化。

藥液槽循環

可以通過機台設定藥液槽循環流量。

藥液槽搖擺功能

有搖擺功能。

藥液溫控

藥液可以選配在線加熱,通過機台設定藥液溫度。

應用行業

主要應用於半導體晶圓製造,封裝過程中的化學清洗和蝕刻。

 
 
 
 
 
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